Компания ТДК предлагает мощные TVS-диоды B74121G0050M060 и B74111G0050M060 в миниатюрных корпусах для защиты от электростатических разрядов. Они обеспечивают двунаправленную защиту (ESD) для одной линии ввода-вывода и предназначены для работы с напряжением до 5 В с ограничением более 6.8 В. Диоды отличаются паразитными емкостями – для B74121G0050M060 она составляет 12 пФ, в то время как у B7411G0050M060 5 пФ. К другим особенностям можно отнести короткое время отклика и малый ток утечки 2 нА при 3.3 В.
Диоды линейки Slim-Line производятся в корпусах для поверхностного монтажа размерами 0.6х0.3х0.15 мм (WL-CSP0201) и 0.4х0.2х0.10 мм (WL-CSP01005) с широким температурным диапазоном -40…125 °С.
Невзирая на миниатюрные габариты, компоненты предназначены для высоких импульсных токов до 8 A согласно IEC 61000-4-5 (8/20). Диоды соответствуют требованиям IEC 61000-4-2 для контактных разрядов ESD до ±24 кВ, что значительно превосходит требования к стандартным супрессорам.
TVS-диоды B74121G0050M060 и B74111G0050M060 подходят для защиты компонентов, чувствительных к электростатическим разрядам, в приложениях с высокой плотностью монтажа, например: смартфоны, ноутбуки, планшеты, портативные устройства.
B74121G0050M060
Корпус: WL-CSP0201;
Размеры: 0.6х0.3х0.15 мм;
Максимальное обратное напряжение (VRWM): 5 В;
Напряжение пробоя (VBR): 6…8 В;
Обратный ток утечки (ILEAK): 2 нА;
Напряжение ограничения (VC1): 7.2 (8 A);
Напряжение ограничения (VC2): 8 (16 A);
Защита от электростатических разрядов (ESD) IEC 61000-4-2: ±24 кВ;
Защита от микросекундных мощных импульсов (8/20 мкс) IPP: 8 А;
Динамическое сопротивление: 0.1 Ом;
Емкость (CJ): 12 пф (1 МГц).
B74111G0050M060
Корпус: WL-CSP01005;
Размеры: 0.4х0.2х0.10 мм;
Максимальное обратное напряжение (VRWM): 5 В;
Напряжение пробоя (VBR): 6…8 В;
Обратный ток утечки (ILEAK): 2 нА;
Напряжение ограничения (VC1): 7.6 (8 A);
Напряжение ограничения (VC2): 8.9 (16 A);
Защита от электростатических разрядов (ESD) IEC 61000-4-2: ±15 кВ;
Защита от микросекундных мощных импульсов (8/20 мкс) IPP: 4 А;
Динамическое сопротивление (RDIN): 0.16 Ом;
Емкость (CJ): 5 пф (1 МГц).